| GD601D 全自動高速固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥52ms UPH:70K/H （實際產(chǎn)能取決于晶片與基板尺寸及制程工藝要求） | ||||||||
| 固晶位置精度 | ±25um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3milx5mil-60milx60mil | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:50-200mm w:60-120mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 1210（正面長）*916(側面縱深)*1797(高度)mm | ||||||||
| GD601F+ 全自動高速電阻機 | |||
| 固晶周期 | ≥90ms UPH:30～40K/H （實際產(chǎn)能取決于貼裝電阻之間的間距與基板行列之間間距） | ||
| 物料尺寸 | 0204及以上尺寸 | ||
| 飛達數(shù)量 | 8組（雙邊） | ||
| 適用支架尺寸 | L：50-200mm W：60-120mm | ||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 1209（正面長）*916(側面縱深)*1797(高度)mm | ||